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主题

  • 1 篇 pn结界面
  • 1 篇 相对位移
  • 1 篇 sige/si异质结双极...

机构

  • 1 篇 北京工业大学

作者

  • 1 篇 沈光地
  • 1 篇 魏欢
  • 1 篇 李建军
  • 1 篇 董欣
  • 1 篇 邹德恕
  • 1 篇 徐晨
  • 1 篇 罗辑
  • 1 篇 陈建新
  • 1 篇 周静

语言

  • 1 篇 中文
检索条件"主题词=pn结界面"
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SiGe/SiHBT异质界面与pn结界面的相对位移的影响
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电子学报 2000年 第8期28卷 63-65页
作者： 徐晨 沈光地 邹德恕 陈建新 李建军 罗辑 魏欢 周静 董欣 北京工业大学电子工程系
从模拟和实验两方面研究了SiGe/SiHBT发射结中pn结界面和SiGe/Si界面的相对位置对器件的电流增益和频率特性的影响 .发现两界面偏离时器件性能会变差 .尤其是当pn结位于SiGe/Si界面之前仅几十 就足以产生相当高的电子寄生势垒 ,严重恶... 详细信息
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