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Continuous analyticⅠ-Ⅴmodel for GS DG MOSFETs including hot-carrier degradation effects
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Journal of Semiconductors 2012年 第1期33卷 41-46页
作者： Toufik Bentrcia Faycal Djeffal Abdel Hamid Benhaya Department of Physics University of Batna Batna 05000Algeria LEA Department of Electronics University of BatnaBatna 05000Algeria
We have studied the influence of hot-carrier degradation effects on the drain current of a gate-stack double-gate （GS DG） MOSFET device. Our analysis is carried out by using an accurate continuous current-voltage （... 详细信息
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