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Analysis of multiple cell upset sensitivity in bulk CMOS SRAM after neutron irradiation

Chinese Physics B 2018年第3期27卷 515-519页

作者：潘霄宇郭红霞罗尹虹张凤祁丁李利 State Key Laboratory of Intense Pulsed Irradiation Simulation and Effect Northwest Institute of Nuclear Technology

In our previous studies, we have proved that neutron irradiation can decrease the single event latch-up （SEL） sensitivity of CMOS SRAM. And one of the key contributions to the multiple cell upset （MCU） is the parasitic bipolar amplification, it bring us to study the impact of neutron irradiation on the SRAM＇s MCU sensitivity. After the neutron experiment, we test the devices＇ function and electrical parameters. Then, we use the heavy ion fluence to examine the changes on the devices＇ MCU sensitivity pre- and post-neutron-irradiation. Unfortunately, neutron irradiation makes the MCU phenomenon worse. Finally, we use the electric static discharge （ESD） testing technology to deduce the experimental results and find that the changes on the WPM region take the lead rather than the changes on the parasitic bipolar amplification for the 90 nm process.

关键词： displacement damage neutron irradiation multiple cell upset （MCU） parasitic bipolar amplifica- tion

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