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Eliminating the floating-body effects in a novel CMOS-compatible thin-SOI LDMOS

Journal of Semiconductors 2013年第9期34卷 53-57页

作者：蒋永恒罗小蓉李燕妃王沛范叶周坤王琦胡夏融张波 State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices University of Electronic Science and Technology of China

A novel CMOS-compatible thin film SOI LDMOS with a novel body contact structure is proposed. It has a Si window and a P-body extended to the substrate through the Si window, thus, the P-body touches the P＋ region to form the body contact. Compared with the conventional floating body SOI LDMOS （FB SOI LDMOS） structure, the new structure increases the off-state BV by 54%, decreases the specific on resistance by 20%, improves the output characteristics significantly, and suppresses the self-heating effect. Furthermore, the advantages of the low leakage current and low output capacitance of SOI devices do not degrade.

关键词： thin film SOI LDMOS body contact floating body effect parasitic bjt effect

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