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双平面掺杂AlGaAs／InGaAs功率phemt

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固体电子学研究与进展 1994年第3期14卷 289-290页

作者：陈效建刘军李拂晓郑雪帆华培忠南京电子器件研究所

双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥Ｃｈｅｎ... 详细信息

双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ陈效建，刘军，李拂晓，郑雪帆，华培忠（南京电子器件研究所，２１００１６）Ｄｏｕｂｌｅ－ｐｌａｎａｒ－ｄｏｐｅｄＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰｏｗｅｒＰＨＥＭＴ￥ＣｈｅｎＸｉａｏｊｉａｎ；ＬｉｕＪｕｎ；Ｌ...

关键词：异质结器件掺杂镓铅砷 phemt

24Gb／s 0．2μm phemt激光器／激光调制器驱动电路

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高技术通讯 2004年第5期14卷 48-50页

作者：黄颋王志功朱恩夏春晓东南大学射频与光电集成电路研究所，南京210096

研制成功一种应用于高速光纤通信系统的激光器／激光调制器驱动集成电路。该电路采用具有薄膜电阻、MIM(Metal-Insulator-Metal)电容和螺旋电感的栅长为0．2 μm的AlGaAs／InGaAs／GaAsphemt(Pseudomorphic Hish Electron Mobihty Transistors)工艺。最大信号带宽超过12GHz，在12Gb／s速率下得到了高质量的测试眼图，其单端输出电压摆幅达到3．4V。基于测试结果，我们估计该电路的最高工作速率超过24Gb／s。该电路采用-4．5V单电源供电，功耗小于1．8W。

关键词：光纤通信激光调制器驱动器激光器 phemt 薄膜电阻

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GaAs基phemt加速度传感器的研究

传感技术学报 2010年第2期23卷 188-191页

作者：贾晓娟张斌珍刘俊薛晨阳侯婷婷谭振新王杰中北大学电子测试技术国家重点实验室仪器科学与动态测试教育部重点实验室太原030051

phemt结构一种高电子迁移率晶体管,以其高频和低噪声等方面的优越性,成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基phemt结构压阻效应,设计加工出一种悬臂梁式... 详细信息

phemt结构一种高电子迁移率晶体管,以其高频和低噪声等方面的优越性,成为当今微电子领域中最活跃的研究主题之一。将其良好的力敏特性应用在加速度计方面更是成为前沿的研究方向。基于GaAs基phemt结构压阻效应,设计加工出一种悬臂梁式微加速度传感器,通过力作用在加速度计上,改变phemt结构漏极电流的输出,并通过外围测试电路来检测该电流变化,从而实现力电转换。文中,对其基本原理和结构设计进行阐述,并进行力学特性的研究。结果表明,在动态测试下,phemt结构的漏极输出电流与栅压、漏压之间的关系与静态测试I-V特性曲线保持一致。该加速度计具有良好的线性特性,经过测试在饱和区灵敏度为0.177 mV/gn。

关键词：微加速度计 phemt 动态测试灵敏度 GaAs

10Gb/s,0·2μm GaAs phemt跨阻放大器分析与设计

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Journal of Semiconductors 2006年第10期27卷 1808-1813页

作者：蔡水成王志功高建军朱恩东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

对基于0·2μmGaAsphemt工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达... 详细信息

对基于0·2μmGaAsphemt工艺设计的10Gb/s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真,并且进行了流片测量验证.电路采用共源结构,噪声小,灵敏度高.测量结果表明该前置放大器在3·3V单电源、50Ω输出负载的条件下,跨阻为57·8dB·Ω,带宽可达到11GHz,芯片面积为0·5mm×0·4mm.测试结果与理论分析和仿真结果比较符合,此前置放大器可以工作在10Gb/s速率.

关键词： phemt 跨阻噪声

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Ku波段20W GaAs功率phemt

Journal of Semiconductors 2006年第10期27卷 1804-1807页

作者：钟世昌陈堂胜南京电子器件研究所南京210016

报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率phemt．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率．采用该工艺制作了总栅宽为19．2mm的功率phemt．用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹... 详细信息

报道了采用介质辅助T型栅工艺研制的GaAs功率phemt．在该T型栅工艺中栅长和栅帽的尺寸分别进行控制，实现了较好的工艺可控性和较高的工艺成品率．采用该工艺制作了总栅宽为19．2mm的功率phemt．用两枚这种芯片合成并研制的Ku波段内匹配功率管在14．0～14．5GHz频带内，输出功率大于20W，功率增益大于6dB，典型功率附加效率为31％．

关键词： T型栅 GaAs phemt 内匹配

Phase-Noise Improvement of GaAs phemt K-Band Voltage Controlled Oscillator Using Tunable Field-Plate Voltage Technology

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Phase-Noise Improvement of GaAs pHEMT K-Band Voltage Control...

2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology

作者： Hsien-Chin Chiu Shao Wei Lin Chien-Cheng Wei Chia-Shih Cheng Yu-Fei Wu Jeffrey.S.Fu Department of Electronic Engineering Chang Gung University

This paper presents a voltage-controlled oscillator(VCO) with low phase noise performance by applying tunable field-plate(FP) voltage on 0.15μm gate length GaAs pseudomorphic high electron mobility transistors(phemts).In this study,the FP metal between gate and drain terminals was connected to a single pad and was controlled by an extra voltage supplier(V).Owing to the depth modulation of fieldplate induced depletion region at various field-plate voltages,the device flicker noise were also improved by applying negative *** technique is easy to apply,based on standard phemt fabrication,and especially attractive for reducing the phase noise of VCO design without extra power consumption.A tunable phase noise inductor-capacitor(L-C) feedback 21 GHz VCO was fabricated in a standard 0.15 urn GaAs phemt *** measured phase-noise of this novel design is -95 dBc/Hz at an offset frequency of 1 MHz and this value can be improved to -99.6 dBc/Hz at V of -5.5 *** core dc power consumption of this circuit is 30.8 mW.

关键词： Voltage-controlled oscillators(VCOs) GaAs RFIC low phase-noise field-plate phemt CPW

来源： cnki会议评论

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新型双异质结双平面掺杂功率phemt

Journal of Semiconductors 2004年第4期25卷 454-457页

作者：陈震和致经魏珂刘新宇吴德馨中国科学院微电子中心北京100029

设计并制作了双异质结双平面掺杂的 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率 phemt器件 ,采用双选择腐蚀栅槽结构 ,有效提高了 phemt器件的输出电流和击穿电压 .对于 1μm栅长的器件 ,最大输出电流为5 0 0 m... 详细信息

设计并制作了双异质结双平面掺杂的 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As/ Al0 .2 4 Ga0 .76 As功率 phemt器件 ,采用双选择腐蚀栅槽结构 ,有效提高了 phemt器件的输出电流和击穿电压 .对于 1μm栅长的器件 ,最大输出电流为5 0 0 m A/ mm ,跨导为 2 75 m S/ m m,阈值电压为 - 1 .4 V,最大栅漏反向击穿电压达到了 33V .研究结果表明 ,在栅源间距一定时 ,栅漏间距对于器件的输出电流、跨导和击穿电压有很大关系 ,是设计功率 phemt的关键之一 .

关键词： phemt 双平面掺杂双选择腐蚀栅槽击穿电压

A Compact Ka-Band phemt MMIC Voltage Controlled Oscillator

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Journal of Semiconductors 2005年第6期26卷 1111-1115页

作者：余稳孙晓玮钱蓉张义门西安电子科技大学微电子研究所西安710000 中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050

A compact Ka-band monolithic microwave integrated circuit(MMIC) voltage controlled oscillator (VCO) with wide tuning range and high output power,which is based on GaAs phemt process,is presented.A method is introduced to reduce the chip size and to increase the bandwidth of *** procedure to design a MMIC VCO is also described *** measured oscillating frequency of the MMIC VCO is 36±1.2GHz and the output power is 10±*** fabricated MMIC chip size is 1.3mm×1.0mm.

关键词： VCO MMIC Ka-band active-biasing phemt

24Gb/s GaAs phemt激光二极管/调制器驱动器

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Journal of Semiconductors 2005年第12期26卷 2455-2459页

作者：李文渊王志功东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096

采用0.2μmGaAsphemt工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一+5V电... 详细信息

采用0.2μmGaAsphemt工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片面积为1.0mm×0.9mm.测试结果表明,采用单一+5V电源供电时直流功耗为1.5W,输出最高电压幅度为2.4V,电路最高工作速率高于24Gb/s,可以应用于光纤通信SDH(synchronous digitalhierarchy)传输系统.

关键词： phemt 激光驱动器放大器光纤通信