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作者

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  • 1 篇 yoonjoong kim
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检索条件"主题词=p-MOS inverter"
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Silicon nanowire ratioed inverters on bendable substrates
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Nano Research 2018年 第5期11卷 2586-2591页
作者: Jeongje Moon Yoonjoong Kim Doohyeok Lim Kyeungmin Im Sangsig Kim Department of Electrical Engineering Korea University 145 Anam-ro Seongbuk-gu Seoul 02841 Republic of Korea LED pKG Development Group Samsung Electronics Co. Ltd. 1 Samsung-ro Yongin-si Gyeonggi-do 17113 Republic of Korea
In this study, we demonstrate the performance of silicon nanowire (SiNW) n-metal oxide semiconductor (mos) and p-mos ratioed inverters that are fabricated on bendable substrates. The electrical characteristics of ... 详细信息
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