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Fabrication and characterization of the normally-off N-channel lateral 4H–SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors

引用

Chinese Physics B 2016年第3期25卷 362-365页

作者：宋庆文汤晓燕何艳静唐冠男王悦湖张艺蒙郭辉贾仁需吕红亮张义门张玉明 School of Advanced Materials and Nanotechnology Xidian University Xi'an 710071 China Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices Xidian University Xi'an 710071 China

In this paper, the normally-off N-channel lateral 4H-SiC metal-oxide-semiconductor field-effect transistors （MOSF- FETs） have been fabricated and characterized. A sandwich- （nitridation-oxidation-nitridation） type process was used to grow the gate dielectric film to obtain high channel mobility. The interface properties of 4H-SiC/SiO2 were examined by the measurement of HF l-V, G-V, and C-V over a range of frequencies. The ideal C-V curve with little hysteresis and the frequency dispersion were observed. As a result, the interface state density near the conduction band edge of 4H-SiC was reduced to 2 x 1011 ***-2, the breakdown field of the grown oxides was about 9.8 MV/cm, the median peak field- effect mobility is about 32.5 cm2.V-1 .s-1, and the maximum peak field-effect mobility of 38 cm2-V-1 .s-1 was achieved in fabricated lateral 4H-SiC MOSFFETs.

关键词： metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 4H-SiC field-effect mobility oxidation pro-cess

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