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The study of a new n/p tunnel recombination junction and its application in a-Si:H/μc-Si:H tandem solar cells

Chinese Physics B 2009年第4期18卷 1674-1678页

作者：李贵君侯国付韩晓艳袁育洁魏长春孙建赵颖耿新华 Institute of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology of Nankai University Tianjin Key Laboratory of Photo-Electronic Thin Film Devices and Technology Key Laboratory of Opto-Electronic Information Science and Technology

This paper reports that a double N layer （a-Si：H/μc-Si：H） is used to substitute the single microcrystalline silicon n layer （n-μc-Si：H） in n/p tunnel recombination junction between subcells in a-Si：H/μc-Si：H tandem solar cells. The electrical transport and optical properties of these tunnel recombination junctions are investigated by current voltage measurement and transmission measurement. The new n/p tunnel recombination junction shows a better ohmic contact. In addition, the n/p interface is exposed to the air to examine the effect of oxidation on the tunnel recombination junction performance. The open circuit voltage and FF of a-Si：H/μc-Si：H tandem solar cell are all improved and the current leakage of the subcells can be effectively prevented efficiently when the new n/p junction is implemented as tunnel recombination junction.

关键词： double N layer tunnel recombination junction oxidation interface a-Si:H/μc-Si:H tan-dem solar cell

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