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Recent developments of quantum dot based micro-LED based on non-radiative energy transfer mechanism

Opto-Electronic Advances 2021年第4期4卷 1-15页

作者： Xiaotong Fan Tingzhu Wu Bin Liu Rong Zhang Hao-Chung Kuo Zhong Chen School of Electronic Science and Engineering Fujian Engineering Research Center for Solid-State LightingXiamen UniversityXiamen 361005China Fujian Science&Technology Innovation Laboratory for energy Materials of China Xiamen 361005China Jiangsu Provincial Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials Nanjing National Laboratory of MicrostructuresSchool of Electronic Science and EngineeringNanjing UniversityNanjing 210093China Department of Photonics and Graduate Institute of Electro-Optical Engineering College of Electrical and Computer EngineeringChiao Tung UniversityHsinchu 30010China

With regard to micro-light-emitting diodes(micro-LEDs),their excellent brightness,low energy consumption,and ultrahigh resolution are significant ***,the large size of traditional inorganic phosphors and the number of side defects have restricted the practical applications of small sized ***,quantum dot(QD)and nonradiative energy transfer(NRET)have been proposed to solve existing *** possess nanoscale dimensions and high luminous efficiency,and they are suitable for NRET because they are able to nearly contact the micro-LED *** NRET between QDs and micro-LED chip further improves the color conversion efficiency(CCE)and effective quantum yield(EQY)of full-color micro-LED *** this review,we discuss the NRET mechanism for QD micro-LED devices,and then nano-pillar LED,nano-hole LED,and nano-ring LED are introduced in *** structures are beneficial to the NRET between QD and micro-LED,especially nano-ring ***,the challenges and future envisions have also been described.

关键词： quantum dot based micro-LED non-radiative energy transfer atomic layer deposition sidewall defects

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