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Nanoscale cathodoluminescence spectroscopy probing the nitride quantum wells in an electron microscope

Chinese Physics B 2024年第3期33卷 144-149页

作者：刘哲彤刘秉尧梁冬冬李晓梅李晓敏陈莉朱瑞徐军魏同波白雪冬高鹏 Electron Microscopy Laboratory School of PhysicsPeking UniversityBeijing 100871China Academy for Advanced Interdisciplinary Studies Peking UniversityBeijing 100871China Research and Development Center for Semiconductor Lighting Technology Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics Institute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190China International Center for Quantum Materials Peking UniversityBeijing 100871China

To gain further understanding of the luminescence properties of multiquantum wells and the factors affecting them on a microscopic level,cathodoluminescence combined with scanning transmission electron microscopy and spectroscopy was used to measure the luminescence of In_(0.15)Ga_(0.85)N five-period multiquantum *** lattice-composition-energy relationship was established with the help of energy-dispersive x-ray spectroscopy,and the bandgaps of In_(0.15)Ga_(0.85)N and GaN in multiple quantum wells were extracted by electron energy loss spectroscopy to understand the features of cathodoluminescence *** luminescence differences between different periods of multiquantum wells and the effects of defects such as composition fluctuation and dislocations on the luminescence of multiple quantum wells were *** study establishing the direct relationship between the atomic structure of In_(x)Ga_(1-x)N multiquantum wells and photoelectric properties provides useful information for nitride applications.

关键词： nitride multiquantum wells defect cathodoluminescence scanning transmission electron microscopy

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