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Preparation of size controllable copper nanocrystals for nonvolatile memory applications

Chinese Physics B 2010年第10期19卷 593-596页

作者：王利孙红芳周惠华朱静 Beijing National Center for Electron Microscopy Department of Materials Science and Engineering Tsinghua University

A method of fabricating Cu nanocrystals embedded in SiO2 dielectric film for nonvolatile memory applications by magnetron sputtering is introduced in this paper. The average size and distribution density of Cu nanocrystal grains are controlled by adjusting experimental parameters. The relationship between nanocrystal floating gate micro-structure and its charge storage capability is also discussed theoretically.

关键词： nanocrystal grain nonvolatile memory Coulomb blockade effect magnetron sputtering

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