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Back-illuminated Al_xGa_(1-x)n-based dual-band solar-blind ultraviolet photodetectors

Journal of Semiconductors 2014年第6期35卷 58-61页

作者：杨敏种明赵德刚王晓勇苏艳梅孙捷孙秀艳 nano-photonics Laboratory Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences State Key Laboratory on integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

： Back-illuminated AlxGal-xn-based dual-band solar-blind ultraviolet （UV） photodetectors （pDs） are realized by a three-terminal n-i-p-i-n heterojunction structure which is grown on sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition （MOCVD）. The two p-i-n junctions contained in the heterojunction structure can work separately and independently. Working in the photovoltaic mode, the pDs display peak responsivity of ～10.8 mA/W at 242 nm and ～5.0 mA/W at 257 nm, respectively. The two junctions with different size, whose diameters are 500 μm and 800 μm, exhibit almost the same leakage current of ～1.3× 10-9 A at a reverse bias of 10 V. Therefore, dark current densities of the two junctions are close to 6.6 × 10-7 A/cm2 and 2.6 × 10-7 A/cm2 at -10 V respectively.

关键词： solar-blind ultraviolet photodetectors dual-band n-i-p-i-n heterojunction

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