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n型硅/碳复合材料的制备及电化学性能研究

电子元件与材料 2013年第1期32卷 14-18页

作者：杜霞薛卫东刘帆李昱树电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054

基于施主掺杂原理,制备了掺有微量磷元素的n型硅负极材料,为改善其循环性能,通过碳包覆的方法进一步制备了硅/碳复合锂离子电池负极材料。利用XRD、SEM、恒流充放电、交流阻抗谱(EIS)和循环伏安法(CV)等测试手段对所制n型硅及硅/碳复合... 详细信息

基于施主掺杂原理,制备了掺有微量磷元素的n型硅负极材料,为改善其循环性能,通过碳包覆的方法进一步制备了硅/碳复合锂离子电池负极材料。利用XRD、SEM、恒流充放电、交流阻抗谱(EIS)和循环伏安法(CV)等测试手段对所制n型硅及硅/碳复合材料的结构、形貌和电化学性能进行了表征分析。结果显示:所制n型硅具有与普通硅一致的晶体结构、良好的充放电平台、较高的容量以及很好的导电性,其电化学性能在碳包覆后有所改善,第一次放电比容量可达1 776.7 mAh/g,15次循环后仍可达1 000 mAh/g以上,库仑效率均保持在98%左右。

关键词： n型硅碳包覆掺杂锂离子电池电化学性能

n型硅掺Pt 的转型效应及其对制造高互换性热敏电阻的应用

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仪表材料 1990年第6期21卷 339-342页

作者：梅向阳付绮英吕红王秀珍张斌中国科学院新疆物理研究所

根据 Shockley 统计规律,用数值计算方法对深能级杂质 Pt 在 n 型硅晶体中的掺杂转型效应进行了定量描述.得到费米能级(E_F)随掺 Pt 浓度的变化关系及转型后 E_F 的钉扎位置.E_F 钉扎后,材料的电导激活能和电阻率趋于固定值,有利于制作... 详细信息

根据 Shockley 统计规律,用数值计算方法对深能级杂质 Pt 在 n 型硅晶体中的掺杂转型效应进行了定量描述.得到费米能级(E_F)随掺 Pt 浓度的变化关系及转型后 E_F 的钉扎位置.E_F 钉扎后,材料的电导激活能和电阻率趋于固定值,有利于制作高互换性、高稳定性热敏电阻。从实验上证实了 n 型硅掺 Pt 的转型效应。使掺 Pt 硅单晶热敏电阻 B 值的平均偏差<0.4%,阻值稳定性(100℃老化1000h)(△R)/R<0.15%。

关键词：热敏电阻杂质pt n型硅转型效应

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湿法去除n型硅硼扩散过程形成的富硼层

材料科学与工程学报 2015年第1期33卷 9-12,35页

作者：龙腾江徐冠群杨晓生沈辉中山大学物理科学与工程技术学院太阳能系统研究所广东广州510275 中国电子科技集团公司第四十八研究所国家光伏装备工程技术研究中心湖南长沙410111 顺德中山大学太阳能研究院广东顺德528300

硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HnO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.82... 详细信息

硼扩散被广泛应用于n型硅基的p-n结制结工艺,然而硼扩散难免会在硅片表面形成一层很薄的的富硼层,该层由于富集无活性硼原子会严重影响电池性能。本研究制备HF-HnO3化学腐蚀液来去除富硼层,采用该方法去除富硼层后的硅片少子寿命从26.829μs增加到69.106μs;WCT-120测得一个光照下Voc从610mv增加到了625mv,发射极饱和电流密度显著降低;去除富硼层后的方块电阻均匀性表现良好,甚至比采用传统后氧化法更具优势。虽然反射率有细微增加,但是对于镀完氮化硅减反膜后腐蚀所带来的反射率升高只有0.13%,因此,认为该方法可以成功应用到富硼层的去除中。

关键词： n型硅富硼层湿法化学腐蚀

n型硅压阻系数π11与π12之间关系的理论推导

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东北大学学报(自然科学版) 1986年第2期 93-96页

作者：李博东北工学院应用物理教研室

本文应用能带结构的多谷模型,对n型硅在[100]方向的压阻效应进行了理论分析。当沿n型硅晶体的[100]轴施加压力并分别在[100]和[010]方向加电场时所引起的电导率变化的主要原因是:电子在能谷之间转移时,电子的迁移率发生变化。由此推导出... 详细信息

本文应用能带结构的多谷模型,对n型硅在[100]方向的压阻效应进行了理论分析。当沿n型硅晶体的[100]轴施加压力并分别在[100]和[010]方向加电场时所引起的电导率变化的主要原因是:电子在能谷之间转移时,电子的迁移率发生变化。由此推导出n型硅的纵向压阻系数π;与横向阻压系π;之间的关系是: π;=-1/2π;且π;的符号是“正”,π;的符号是“负”。这一结果与***的实验测量数据吻合。

关键词：压阻系数 n型硅压阻效应

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去离子水中n型硅的微细电火花加工工艺实验

电加工与模具 2005年第5期 5-8页

作者：王再成曹国辉王振龙赵万生哈尔滨工业大学机电工程学院黑龙江哈尔滨150001 上海交通大学机械与动力工程学院上海200030

对去离子水中n型硅的微细电火花加工工艺进行了实验研究,分别在加工效率、电极损耗、表面粗糙度等方面与煤油工作液中n型硅的加工进行了对比。通过大量的实验研究得出:在相同的电参数下,与煤油工作液中加工实验相比,以去离子水为工作液... 详细信息

对去离子水中n型硅的微细电火花加工工艺进行了实验研究,分别在加工效率、电极损耗、表面粗糙度等方面与煤油工作液中n型硅的加工进行了对比。通过大量的实验研究得出:在相同的电参数下,与煤油工作液中加工实验相比,以去离子水为工作液介质时微细电火花加工n型硅的加工效率更高,其工件表面粗糙度值基本相当,且其放电加工过程非常稳定,可知微细电火花加工n型硅时,去离子水是一种较好的工作液介质。

关键词：微细电火花加工 n型硅去离子水微细电火花加工工艺实验去离子水 n型表面粗糙度值硅加工效率工作液加工工艺

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国内n型硅高效太阳能电池正式亮相

功能材料信息 2011年第2期8卷 45-46页

作者：龙斌

据相关媒体报道，国内首款“熊猫”n型硅高效太阳能电池组件系列产品于近日正式亮相。该产品是由河北保定英利公司与欧洲著名太阳能电池研究机构荷兰国家能源研究中心及全球领先的光伏设备和自动化系统供应商阿姆泰克公司联合研发的。

关键词：高效太阳能电池 n型硅国内太阳能电池组件自动化系统泰克公司研究机构供应商

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硼离子注入n型硅的快速退火特性

复旦学报（自然科学版） 1993年第3期32卷 261-268页

作者：李先皇黄庆红陆昉孙恒慧复旦大学物理学系

将B^+注入n型硅片后进行等时快速热退火.由于离子注入样品中原生缺陷较多,其中的一些缺陷在快速退火过程中又是产生位错的源,因此离子注入样品较其他样品更易生成位错一类的缺陷.在快速退火时若将样品两面盖以硅片,则有助于减少样品内... 详细信息

将B^+注入n型硅片后进行等时快速热退火.由于离子注入样品中原生缺陷较多,其中的一些缺陷在快速退火过程中又是产生位错的源,因此离子注入样品较其他样品更易生成位错一类的缺陷.在快速退火时若将样品两面盖以硅片,则有助于减少样品内的热应力和淬火速率,从而减小引进的各类缺陷的浓度.在温度为800℃时退火10s的效果(指缺陷浓度和少子寿命)与炉退火相仿而效率可以大大提高.

关键词：快速退火离子注入硼硅 n型硅

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n型半导体硅电极表面Au的电化学成核机理

物理化学学报 2015年第9期31卷 1708-1714页

作者：吴小英杨丽坤闫慧杨防祖田中群周绍民厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室福建厦门361005

在成功实现半导体硅表面电沉积致密金膜的柠檬酸盐镀金实际应用体系中,运用循环伏安和电位阶跃法研究了Au在n型Si(111)电极表面的电沉积过程和成核机理.结果表明,在该体系中,Au在Si表面呈现不可逆电极过程,成核过电位达到250 m V;根据Co... 详细信息

在成功实现半导体硅表面电沉积致密金膜的柠檬酸盐镀金实际应用体系中,运用循环伏安和电位阶跃法研究了Au在n型Si(111)电极表面的电沉积过程和成核机理.结果表明,在该体系中,Au在Si表面呈现不可逆电极过程,成核过电位达到250 m V;根据Cottrell方程求得扩散系数D=(1.81±0.14)×10–4 cm2 s–1;运用Scharifker-Hills(SH)理论模型对比分析拟合实验结果,表明Au在n型Si表面遵循扩散控制下的三维连续成核机理;通过扫描电子显微镜观察Au初期成核、生长形貌,进一步证实了Au的三维连续成核机制,并讨论了阶跃电位和阶跃时间对Au核形貌和密度的影响.

关键词： n型硅 Au 循环伏安电位阶跃成核机理

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n型晶体硅太阳电池光诱导衰减现象研究

半导体技术 2018年第7期43卷 540-544,549页

作者：李能能马继奎西安航空学院电子工程学院西安710077 国家电投集团西安太阳能电力有限公司西安710061

基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比... 详细信息

基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理。使用工业化设备在大面积（156 mm×156 mm）n型单晶硅片上制备太阳电池。利用太阳光谱模拟仪对制备的太阳电池进行光照处理,对比各阶段太阳电池电性能参数。结果表明,光照时会导致太阳电池表面减反射膜Sin∶H/Si界面处积聚大量固定电荷,增大界面态密度,破坏电池表面钝化层结构,导致开路电压和短路电流产生较大衰减,35 kWh/m^2光辐照后n型硅太阳电池效率衰减3.6%。在380℃低温退火处理后电池效率基本可恢复到初始状态。内量子效率测试结果表明光辐照后电池短波区域响应减弱,前表面界面效应导致电池效率发生较大衰减。

关键词： n型硅太阳电池光诱导衰减光辐照退火