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Local charge neutrality condition,Fermi level and majority carrier density of a semiconductor with multiple localized multi-level intrinsic/impurity defects

引用

Journal of Semiconductors 2011年第11期32卷 1-8页

作者： Ken K.Chin Department of Physics and Apollo CdTe Solar Energy Research Center New Jersey Institute of Technology Department of Photonic and Information Engineering School of Electronic and Information EngineeringBeihang University

For semiconductors with localized intrinsic/impurity defects, intentionally doped or unintentionally incorporated, that have multiple transition energy levels among charge states, the general formulation of the local charge neutrality condition is given for the determination of the Fermi level and the majority carrier density. A graphical method is used to illustrate the solution of the problem. Relations among the transition energy levels of the multi-level defect are derived using the graphical method. Numerical examples are given for p-doping of the CdTe thin film used in solar panels and semi-insulating Si to illustrate the relevance and importance of the issues discussed in this work.

关键词： multi-level defects defect complex intrinsic impurity semiconductor Fermi level majority carrier density

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