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Controlled fabrication of freestanding monolayer sic by electron irradiation

Chinese Physics B 2024年第8期33卷 31-37页

作者：笪蕴力罗瑞春雷宝季威周武 School of Physical Sciences University of Chinese Academy of SciencesBeijing 100049China Department of Physics and Beijing Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials&Micro-Nano Devices Renmin University of ChinaBeijing 100872China

The design and preparation of novel quantum materials with atomic precision are crucial for exploring new physics and for device *** irradiation has been demonstrated as an effective method for preparing novel quantum materials and quantum structures that could be challenging to obtain *** features the advantages of precise control over the patterning of such new materials and their integration with other materials with different ***,we present a new strategy for fabricating freestanding monolayer sic within nanopores of a graphene *** regulating the energy of the incident electron beam and the in-situ heating temperature in a scanning transmission electron microscope(STEM),we can effectively control the patterning of nanopores and subsequent growth of monolayer sic within the graphene *** resultant sic monolayers seamlessly connect with the graphene lattice,forming a planar structure distinct by a wide direct *** in-situ STEM observations further uncover that the growth of monolayer sic within the graphene nanopore is driven by a combination of bond rotation and atom extrusion,providing new insights into the atom-by-atom self-assembly of freestanding two-dimensional(2D)monolayers.

关键词： monolayer sic 2D semiconductor in-situ growth in-situ STEM defect engineering graphene nanopores

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