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Fabrication of Sub-20nm metal nanogaps from Nanoconnections by the Extended Proximity Effect

Journal of Semiconductors 2008年第9期29卷 1666-1669页

作者：孙艳陈鑫戴宁中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家实验室上海200083

We describe the fabrication of metal nanogaps of sub-20nm in feature size using the proximity effect in electron beam lithography （EBL）. The proximity effect is extended to develop a flexible and practical method for preparing metal （e. g. Au or Ag） nanogaps and arrays in combination with a transfer process （e. g., deposition/lift-off）. Different from the direct gap-writing process,the nanogap precursor structures （nanoconnections） were designed by GDSII software and then written by electron beam. Following a deposition and lift-off process, the metal nanogaps were obtained and the nanogap size can be lowered to -10nm by controlling the exposure dose in EBL.

关键词： metal nanogap nanofabrication proximity effect electron beam lithography

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