检索结果-南通市图书馆

mechanical-electrical synergy damage effect on GaN HEMT under high-power microwave

Science China(Technological Sciences) 2023年第8期66卷 2373-2380页

作者： WANG Lei CHAI ChangChun ZHAO TianLong LI FuXing QIN YingShuo YANG YinTang Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices School of MicroelectronicsXidian UniversityXi’an 710071China

High-power microwave damage to enhanced-mode Ga N high electron mobility transistors(HEMT)is studied considering the mechanical-electrical synergy effect due to the strong piezoelectric properties of Ga N,which has a wurtzite crystal *** on the piezoelectric constitutive equation,the mechanical and electrical energies were equivalently coupled,and the effective numerical model was built in the simulation *** results indicated that a part of the electrical energy was stored in the device as a form of elastic energy,causing the burnout time of Ga N HEMT to be *** effects of different injection voltages and frequencies were analyzed,and the results revealed that elastic energy plays a different role during the process of device *** results are of great significance for the design of Ga N HEMTs with better reliability in harsh electromagnetic environments and for improving their protection design.

关键词： GaN HEMT mechanical-electrical synergy damage electromechanical coupling elastic energy high-power microwave

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：