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magneto-resistance and vortex phase diagram of BaNi_(0.1)Fe_(1.9)As_2 single crystal

Chinese Physics B 2014年第12期23卷 444-448页

作者：鲁俊超于一皮雳张裕恒 College of Science Henan University of Technology School of Physics and Material Science Anhui University High Magnetic Field Laboratory Chinese Academy of Sciences and University of Science and Technology of China

The transition from vortex glass to a liquid phase is studied in Ba Ni0.1Fe1.9As2 single crystal with Tc = 19.4 K by magneto-resistance measurements. The resistivity curves are measured in magnetic fields in a range of 0 T–13 T for H‖c and H⊥c. Good scalings for all values of resistivity ρ（H, T） and the effective pinning potential U0（H, T） are obtained with the modified vortex glass theory by using the critical exponents s and H0. Phase diagrams for H‖c and H⊥c are determined based on the obtained vortex glass temperature Tg, the vortex dimensionality crossover temperature T＊, and the upper critical magnetic field Hc2. Our results suggest that both below and above 5 T, single vortex pinning co-exists with collective creep, and collective creep is dominant. There is a narrower vortex liquid region for H⊥c than for H‖c in the vortex phase diagram, which may originate from a stronger pinning force.

关键词： Fe-based superconductor magneto-resistance pinning phase transition

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magneto-Transport and Nanomagnet Dynamics in MgO-Based Magnetic Tunnel Junctions(MTJs)

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Communications in Theoretical Physics 2016年第2期65卷 254-258页

作者： Nader Ghobadi Reza Daqiq Faculty of Science Department of PhysicsMalayer University

We investigate bias and different barrier thicknesses effects on quantities related to spin and charge currents in MgO-based magnetic tunnel junctions. Using the non-Equilibrium Green's function formalism, we demonstrate that the in-plane and out-of-plane components of the spin-transfer torque have asymmetric and symmetric behaviors respectively. magneto-resistance also decreases with increasing barrier thickness. The Landau–Lifshits–Gilbert equation describes the dynamics of the magnetization made by spin transfer torque. Increasing in spin current above its critical value or smaller the magnet reduces the switching time which is major result for making of new memory devices.

关键词： magnetic tunnel junctions spin-transfer torque magneto-resistance nanomagnet dynamics

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