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No-catalyst growth of vertically-aligned AlN nanocone field electron emitter arrays with high emission performance at low temperature

引用

Chinese Physics B 2010年第10期19卷 463-471页

作者：刘飞莫富尧李力苏赞加黄泽强邓少芝陈军许宁生 Key Laboratory of Display Material and Technology of Guangdong Province School of Physics and Engineering Sun Yat-Sen University

The A1N nanostructures with a wide band-gap of 6.28 eV are considered as ideal cold cathode materials because of their low electron-affinity. Many methods have been devoted to fabricating A1N nanostructures, but high growth temperature over 800℃ and the use of the catalysts in most methods limit their practical application and result in their poor field-emission behaviours in uniformity. This paper reports that without any catalysts, a simple chemical vapour deposition method is used to synthesize aligned A1N nanocone arrays at 550℃ on silicon substrate or indium tin oxide glass. Field emission measurements show that these nanocones prepared at low temperature have an average turn-on field of 6 V/μm and a threshold field of 11.7 V/μm as well as stable emission behaviours at high field, which suggests that they have promising applications in field emission area.

关键词： A1N nanocone low-temperature growth no-catalyst field-emission

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