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Photoluminescence from Si_based SiN_xO_y films
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Chinese Science Bulletin 1998年 第2期43卷 124-126页
作者： Liangsheng Liao Xiaobing Liu Zuhong Xiong Shuai Yuan Xiaoyuan Hou Fudan Univ State Key Lab Surface Phys Shanghai 200433 Peoples R China Fudan Univ TD Lee Phys Lab Shanghai 200433 Peoples R China Changsha Elect Power Univ Dept Phys Changsha 410077 Peoples R China
B++, C++, Si++, and As++ with dose of 5×10 16 cm -2 were implanted into SiN-xO-y films grown on crystalline silicon by plasma_enhanced chemical vapor deposition. The ion_implanted samples exhibit their photoluminesce... 详细信息
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