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RF CMOS modeling:a scalable model of RF-MOSFET with different numbers of fingers

Journal of Semiconductors 2010年第11期31卷 33-37页

作者：余裕宁孙玲玲刘军 Key Laboratory of RF Circuits and Systems of Ministry of Education Hangzhou Dianzi University

A novel scalable model for multi-finger RF MOSFETs modeling is *** the parasitic components, including gate resistance,substrate resistance and wiring capacitance,are directly determined from the *** model is further verified using a standard 0.13μm RF CMOS process with nMOSFETs of different numbers of gate fingers,with the per gate width fixed at 2.5μm and the gate length at 0.13μ*** agreement between measured and simulated S-parameters from 100 MHz to 20 GHz demonstrate the validity of this model.

关键词： RF-MOSFETs scalable model parasitic components layout-based

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