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A thru-reflect-line calibration for measuring the characteristics of high power LDMOS transistors

Journal of Semiconductors 2013年第3期34卷 43-47页

作者：王帅李科姜一波丛密芳杜寰韩郑生 Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences

The impedance and output power measurements of LDMOS transistors are always a problem due to their low impedance and lead *** improved thru-reflect-line(TRL) calibration algorithm for measuring the characteristics of L-band high power LDMOS transistors is *** to the TRL algorithm,the individual two-port S parameters of each fixture half can be *** de-embedding these S parameters of the test fixture,an accurate calibration can be *** improved TRL calibration algorithm is successfully utilized to measure the characteristics of an L-band LDMOS transistor with a 90 mm gate *** impedance of the transistor is obtained,and output power at 1 dB compression point can reach as much as 109.4 W at 1.2 GHz, achieving 1.2 W/mm power *** the results,it is seen that the presented TRL calibration algorithm works well.

关键词： thru-reflect-line lateral double-diffused mosfet low impedance test fixture impedance output power

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