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Formation and UV-laser induced desorption of Cl-containing species on/from GaAs(100) surface

Progress in Natural Science:Materials International 1996年第1期 77-85页

作者：宋真,吕日昌,Satoshi Shogen,Masahiro Kawasaki,Ikuo Suemune State Key Laboratory of Molecular Reaction Dynamics Dalian Institute of Chemical Physics Chinese Academy of Sciences Dalian 116023 China State Key Laboratory of Molecular Reaction Dynamics Dalian Institute of Chemical Physics Chinese Academy of Sciences Dalian 116023 China Research Institute for Electonic Science Hokkaido University Sapporo 060 Japan Research Institute for Electonic Science Hokkaido University Sapporo 060 Japan Research Institute for Electonic Science Hokkaido University Sapporo 060 Japan

XPS was used to analyse the GaAs(100) substrate before and after concentrated HO treatment. The untreated RTO GaAs(100) surface has a 0.17nm thick oxide overlayer on it. HC1 treatment canremove this oxide layer and form a layer of Cl-contaimng species——GaClx. The 355 nm and 193 nm laserwas tried to study the 'laser induced desorption of GaCl,. XPS was also used to monitor the change of Cl quantity by laser irradiation. The results show that the 355 nm laser induces a thermal desorption of GaClx. By the behavior of the thermal desorption, we conclude that the GaClx on the HC1 treated GaAs(100) surface may be GaCl. The 193 nm laser can dissociate GaCl and induce a photo dissociation desorption of Cl.

关键词： HC1 solution etching laser induced desorption GaAs.

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