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OBSERVATION ON defects IN POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS
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Acta Metallurgica Sinica(English Letters) 2005年 第3期18卷 295-299页
作者： Y.F. Hu1), H. Shen2), L. Wang3), Z.C. Liang3), Z.Y. Liu1) and L.S. Wen1) 1) College of Mechanical Engineering, South China University of Technology, Guan gzhou 510640, China 2) The School of Physics and Engineering, Zhongshan University, Guangzhou 510275 , China 3) Guangzhou Institute of Energy Conversion, The Chinese Academy of Sciences, G uangzhou 510640, China College of Mechanical Engineering South China University of Technology Guangzhou 510640China The School of Physics and Engineering Zhongshan University Guangzhou 510275China Guangzhou Institute of Energy Conversion The Chinese Academy of Sciences Guangzhou 510640China
Polycrystalline silicon thin films were prepared by RTCVD (rapid thermal chemica l vapor deposition) method on several substrates such as SSP (silicon sheet from powder) ribbon, poly-Si wafer and mono-Si wafer. intra-... 详细信息
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