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Effects of SiO_2 and TiO_2 on resistance stabilities of flexible indium-tin-oxide films prepared by ion assisted deposition

引用

Rare Metals 2009年第6期28卷 559-563页

作者： LI Yuqiong YU Zhinong WANG Wuyu FAN Yuejiang DING Zhao XUE Wei School of Optoelectronics Beijing Institute ofTectmology Beijing 100081 China General Research Institute for Nonferrous Metals Beijing 100088 China

inorganic buffer layers such as SiO2 or TiO2 and transparent conductive indium-tin-oxide （ITO） films were prepared on polyethylene terephthalate （PET） substrates by ion assisted deposition （IAD） at room temperature, and the effects of SiO2 and TiOzon the bending resistance performance of flexible ITO films were investigated. The results show that ITO films with SiO2 or TiO2 buffer layer have better resistance stabilities compared to ones without the buffer layer when the ITO films are inwards bent at a bending radius more than 1.2 cm and when the ITO films are outwards bent at a bending radius from 0.8 cm to 1.2 cm. 1TO films with SiO2 buffer layer have better resistance sta- bilities compared to ones with TiO2 buffer layer after the ITO fdms are bent several hundreds of cycles at the same bending radius, for the adhesion of SiO2 is stronger than that of TiO2. The compressive stress resulted from inward bending leads to the formation of more defects in the ITO films compared with the tensile stress arising from outward bending. SiO2 and TiO2 buffer layers can effectively improve the crystallinity of ITO films in （400）, （440） directions.

关键词： indium-tin-oxide (ITO) inorganic buffer layers bending resistance performance stress ion assisted deposition (IAD)

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