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The etching process and mechanism analysis of Ta-Sb2Te3 film based on inductively coupled plasma

Journal of Semiconductors 2020年第12期41卷 12-16页

作者： Yongkang Xu Sannian Song Wencheng Fang Chengxing Li Zhitang Song State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050China University of Chinese Academy of Sciences Beijing 100049China

Compared to the conventional phase change materials,the new phase change material Ta-Sb2Te3 has the advantages of excellent data retention and good material *** this letter,the etching characteristics of Ta-Sb2Te3 were studied by using CF4/*** results showed that when CF4/Ar=25/25,the etching power was 600 W and the etching pressure was 2.5 Pa,the etching speed was up to 61 nm/*** etching pattern of Ta-Sb2Te3 film had a smooth side wall and good perpendicularity(close to 90°),smooth surface of the etching(RMS was 0.51nm),and the etching uniformity was ***,the mechanism of this etching process was analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy(XPS).The main damage mechanism of ICP etching in CF4/Ar was studied by X-ray diffraction(XRD).

关键词： new phase change material inductively couple plasma etching process etching characteristics mechanism

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