检索结果-南通市图书馆

Influences of stress on the properties of GaN/InGaN multiple quantum well LEDs grown on Si(111) substrates

Chinese Physics B 2015年第6期24卷 656-661页

作者：柳铭岗杨亿斌向鹏陈伟杰韩小标林秀其林佳利罗慧廖强臧文杰吴志盛刘扬张佰君 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and TechnologiesSun Yat-Sen University

The influences of stress on the properties of InGaN/GaN multiple quantum wells （MQWs） grown on silicon substrate were investigated. The different stresses were induced by growing InGaN and A1GaN insertion layers （IL） respectively before the growth of MQWs in metal-organic chemical vapor deposition （MOCVD） system. High resolution x-ray diffrac- tion （HRXRD） and photoluminescence （PL） measurements demonstrated that the InGaN IL introduced an additional ten- sile stress in n-GaN, which released the strain in MQWs. It is helpful to increase the indium incorporation in MQWs. In comparison with MQWs without the IL, the wavelength shows a red-shift. A1GaN IL introduced a compressive stress to compensate the tensile stress, which reduces the indium composition in MQWs. PL measurement shows a blue-shift of wavelength. The two kinds of ILs were adopted to InGaN/GaN MQWs LED structures. The same wavelength shifts were also observed in the electroluminescence （EL） measurements of the LEDs. Improved indium homogeneity with InGaN IL, and phase separation with A1GaN IL were observed in the light images of the LEDs.

关键词： GaN/InGaN LEDs stress indium composition

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：