检索结果-南通市图书馆

Spin-dependent tunnelling through an indirect double-barrier structure

Chinese Physics B 2008年第9期17卷 3438-3443页

作者：王瑞张存喜王建明梁九卿 Physical Department Zhejiang Ocean University Department of Physics and Institute of Theoretical Physics Shanxi University

We use the transfer matrix method to study the quantum tunnelling through an indirect-band-gap double-barrier like the GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/GaAs heterostructures along the [001] axis, which is described by the tight-binding model. The X-valley quasi-bound state gives rise to the Fano resonance different from the direct double-barrier transition in a resonance-tunnelling diode. The quantitative calculations demonstrate that a relatively high spin-polarization of the transmission probability can be achieved as compared with the single-barrier tunnelling ease. Moreover the extension to the multi-barrier device is provided and leads to an important observation that the spin polarization increases with the number of barriers.

关键词： spin-polarized spin-orbit interaction indirect-barrier

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：