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Molecular dynamics simulation of structural change at metal/semiconductor interface induced by nanoindenter

Chinese Physics B 2016年第11期25卷 353-359页

作者：赵兵兵王影刘畅王晓春 Institute of Atomic and Molecular Physics Jilin University Jilin Provincial Key Laboratory of Applied Atomic and Molecular Spectroscopy Jilin University

The structures of the Si/Cu heterogenous interface impacted by a nanoindenter with different incident angles and depths are investigated in detail using molecular dynamics *** simulation results suggest that for certain incident angles,the nanoindenter with increasing depth can firstly increase the stress of each atom at the interface and it then introduces more serious structural deformation of the Si/Cu heterogenous interface.A nanoindenter with increasing incident angle（absolute value） can increase the length of the Si or Cu extended atom *** is worth mentioning that when the incident angle of the nanoindenter is between-45° and 45°,these Si or Cu atoms near the nanoindenter reach a stable state,which has a lower stress and a shorter length of the Si or Cu extended atom layer than those of the other incident *** may give a direction to the planarizing process of very large scale integration circuits manufacture.

关键词： incident manufacture absolute impacted depths length dislocation neighbor struction frictional

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