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Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN

Science China Technological Sciences 2003年第6期46卷 620-626页

作者：陈俊张书明张宝顺朱建军冯淦段俐宏王玉田杨辉郑文琛 National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China National Research Center for Opto-Electronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China Department of Material Science Sichuan University Chengdu 610064 China Department of Material Science Sichuan University Chengdu 610064 China

The influence of growth pressure of GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN on -Al2O3 has been investigated with the aid of a home-made in situ laser reflectometry.meas-urement system. The results obtained with in situ measurements and scanning electron micro-scope show that with the increase in deposition pressure of buffer layer, the nuclei increase in size, which roughens the surface, and delays the coalescence of GaN nuclei. The optical and crystalline quality of GaN epilayer was improved when buffer layer was deposited at high pressure.

关键词： gallium nitride MOCVD in situ laser reflectometry.

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