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Far-infrared absorption studies of Be acceptors in δ-doped gaas/alas multiple quantum wells

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2006年第6期49卷 702-708页

作者： M. P. Halsall P. Harrison M. J. Steer School of Physics and Astronomy the University of ManchesterManchester M60 1QD U. K. School of Electronic and Electrical Engineering University of LeedsLS2 9JT U. K. EPSRC Ⅲ-V Semiconductor Central Facility Department of Electronic and Electrical Engineering University of SheffieldS1 3JD U. K.

We report a far-infrared absorption study of internal transitions of shallow Be acceptors in both bulk gaas and a series of δ-doped gaas/alas multiple quantum well samples with well thicknesses of 20,15 and 10 nm. Low temperature far-infrared absorp-tion measurements clearly show three principal absorption lines due to transitions of Be-acceptor states from the ground state to the first three odd-parity excited states,respec-tively. Using a variational principle,the 2p-1s transition energies of quantum confined Be acceptors are calculated as a function of the well width. It is found that the theoretical calculation of the 2pz → 1s transitions is in good agreement with the D-like line experi-mental data.

关键词： shallow acceptor impurities,δ-doped,gaas/alas multiple quantum wells,far-infrared absorptions.

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