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影像科学与光化学 2012年第2期30卷 81-90页

作者：郑金红北京科华微电子材料有限公司北京101312

酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436nm)、i-line(365nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-lin... 详细信息

酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436nm)、i-line(365nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-line时,为适应对应的曝光波长以及对高分辨率的追求,酚醛树脂及感光剂的微观结构均有变化.在i-line光刻胶中,酚醛树脂的邻-邻′相连程度高,感光剂酯化度高,重氮萘醌基团间的间距远.溶解促进剂是i-line光刻胶的一个重要组分,本文对其也进行了介绍.

关键词： i-line 光刻胶酚醛树脂感光剂溶解促进剂

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英格索尔公司“i-line”系列化组合机床自动线

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组合机床与自动化加工技术 1982年第4期 21-26+51页

作者：王要黾

美国英格索尔公司在微处理机控制的交流伺服驱动系统i-Drive的基础上,全面更新了过去的自动线设计,以模块化的组成方法,集中了许多机电合一化技术,研制出新型系列化组合机床自动线“i-line”。其优点是减少了占地面积、降低能量消耗、... 详细信息

美国英格索尔公司在微处理机控制的交流伺服驱动系统i-Drive的基础上,全面更新了过去的自动线设计,以模块化的组成方法,集中了许多机电合一化技术,研制出新型系列化组合机床自动线“i-line”。其优点是减少了占地面积、降低能量消耗、改善产品质量、提高了生产率、提高了柔性、维护方便等。文章分别对“i-Drive”、“i-Transfer”、“i-Probe”、“i-Lift”、“i-Beam”等系统作了介绍。图9幅。

关键词：英格索尔微处理机 i-line 机床自动线生产率滑台交流伺服驱动系统

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improvement of Environment Stability of an i-line Chemically Amplified Photoresist

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Journal of Microelectronic Manufacturing 2021年第2期4卷 1-7页

作者： Haibo Li Qian Yang Jia Sun Jie Li Meng Guo Bing Li Kempur Microelectronics Inc

An i-line chemically amplified(iCA)thick film positive resist is reported in this *** impact of process conditions on photoresist performance was ***-apply bake temperature and post exposure bake temperature affect acid diffusion and deblocking reactions,thus playing an integral role in defining the resist *** pre-apply bake delay and post exposure delay(PED)affect critical dimension(CD)variation,but PED is more sensitive to contact with airborne *** polymers and different photo-acid generators(PAG)are also illustrated in this *** optimizing the structure and concentration of key components,an iCA resist with good environment stability and excellent lithographic performance was demonstrated.

关键词： Chemical amplification thick film i-line environment stability Poly(p-hydroxyl styrene) PAB PEB

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一种应用于Mini LED领域的厚膜光刻胶的制备与研究

一种应用于Mini LED领域的厚膜光刻胶的制备与研究

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作者：刘奋超北京化工大学

学位级别：硕士

光刻胶(photoresist),又被称为光致抗蚀剂.。是一种在光照条件下能够发生化学变化,使其在某些特定溶液中的溶解度会发生明显变化的感光混合液体。光刻胶作为工业生产中大规模刻蚀出微小图案所必不可少的加工材料,近年来在芯片行业,尤其... 详细信息

光刻胶(photoresist),又被称为光致抗蚀剂.。是一种在光照条件下能够发生化学变化,使其在某些特定溶液中的溶解度会发生明显变化的感光混合液体。光刻胶作为工业生产中大规模刻蚀出微小图案所必不可少的加工材料,近年来在芯片行业,尤其是手机芯片行业的快速发展下,光刻胶的研究开发和应用也取得了重大进展。本文设计并合成了一种高酸解活性厚膜光刻胶,该种光刻胶光刻出的图案具有高的纵宽比,适合应用于近年来关注度很高的Mini LED显示领域。首先,以聚对羟基苯乙烯树脂为原料,设计并合成了两种以聚对羟基苯乙烯为主链结构的树脂,开发了合成工艺路线。接着利用核磁共振仪、傅里叶红外光谱仪等仪器对上述树脂的结构进行了表征,证明上述树脂都具有缩醛结构。其次,研究了这些含有缩醛结构的聚对羟基苯乙烯树脂的物理特性和化学特性。包括分子量及其分布、光学性能、耐热性能以及在酸性条件下的酸解性能。研究表明,所合成的树脂在酸性条件下,其能在较低温度甚至室温下发生脱保护反应,具有很高的酸解活性。通过对合成工艺的探究,选择了以乙基乙烯基醚为保护基团的聚对羟基苯乙烯树脂作为光刻胶的成膜树脂。将该树脂和溶剂丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、磺酸类光产酸剂、碱性猝灭剂和其他一些助剂按一定比例混合配制成光刻胶。最后,将设计的光刻胶应用于实际的光刻实验中。研究表明,当旋涂转速为1000rpm时,光刻胶层的膜厚超过15 μm,是一种厚膜光刻胶。通过对光刻工艺的不断尝试,最后得出结论:当成膜树脂的接枝率为45%,使用i-line进行曝光,曝光能量为30mJ/cm,显影后烘烤温度为110℃,烘烤时间为60s时,可以光刻得出分辨率达到6μm,纵宽比为2的图案。

关键词：光刻技术厚膜光刻胶 i-line 化学增幅

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