检索结果-南通市图书馆

Uniformity Investigation in 3C-SiC Epitaxial Layers Grown on Si Substrates by horizontal hot-wall cvd

Journal of Semiconductors 2007年第1期28卷 1-4页

作者：李家业赵永梅刘兴昉孙国胜罗木昌王雷赵万顺曾一平李晋闽中国科学院半导体研究所北京100083

50mm 3C-SiC epilayers are grown on （100） and （111） Si substrates in a newly developed horizontal lowpressure hot-wall cvd reactor under different growth pressures and flow rates of H2 carrier gas. The structure,electrical properties, and thickness uniformity of the 3C-SiC epilayers are investigated by X-ray diffraction （XRD） ,sheet resistance measurement, and spectroscopic ellipsometry. XRD patterns show that the 3C-SiC films have excellent crystallinity. The narrowest full widths at half maximum of the SIC（200） and （111） peaks are 0.41° and 0.21°, respectively. The best electrical uniformity of the 50mm 3C-SiC films obtained by sheet resistance measurement is 2.15%. A σ/mean value of ± 5.7% in thickness uniformity is obtained.

关键词： 3C-SiC heteroepitaxial growth horizontal hot-wall cvd uniformity

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Influence of silicon cluster on epitaxial growth of silicon carbide

引用

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2011年第9期54卷 1579-1582页

作者： LI ZheYang LI Yun CHEN Chen HAN Pin Jiangsu Provincial Key Lab of Advance Photonic and Electronic Materials Department of Physics Nanjing University Nanjing 210093 China National Key Laboratory of Monolithic Integrated Circuits and Modules the 55th Research Institute of CETC Nanjing 210016 China

Precursor concentration dependences of growth rate, doping concentration and surface morphology have been investigated in the epitaxial growth of 4H-SiC（0001） epilayers with horizontal hot-wall cvd system using various precursor concentrations under constant C/Si ratio. Form the experimental data it is found that silicon cluster which is formed through gas phase nucleation plays an important role in controlling the doping concentration and epitaxial growth rate of the silicon carbide. It was observed that the concentration of silicon clusters cannot reach the equilibrium value in the process by using a low Sill4 concentration, and this phenomenon has not been reported by others.

关键词： 4H-SiC horizontal hot-wall cvd C/Si ratio growth rate doping concentration silicon cluster

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：