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Efficient solution-processed InP quantum-dots light-emitting diodes enabled by suppressing hole injection loss

Nano Research 2023年第5期16卷 7511-7517页

作者： Wenxuan Du Chunyan Cheng Jianjun Tian Institute for Advanced Materials and Technology University of Science and Technology BeijingBeijing 100083China

Solution-processed cadmium-based quantum dots(QDs)light-emitting diodes(QLEDs)have shown promising for high-definition display panels due to their high colour purity and low-cost fabrication,but the toxicity still is a big threat.InP is considered as the most promising cadmium-free material to achieve high performance QLEDs,however,the performance of the InP-based QLEDs is far behind of the cadmium-based counterparts.Here,we report high efficiency InP-based QLEDs with more than 20%of external quantum efficiency(EQE)by suppressing hole injection loss.This suppression is achieved by doping a strong Lewis acid into a Lewis base poly(bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine)to form a Lewis acid-base adduct hole-transport layer(HTL),which improves the hole mobility of the HTL,reduces the hole transfer barrier between HTL and QDs layer to increase hole transport capability.This eventually leads to a more balanced carrier-injection through accelerating hole-injection to match well with the rate of electron-injection,thus suppressing the hole injection loss in the QLED.The InP-based QLED shows EQE of 20.4%,current efficiency of 25.3 cd·A^(−1),turn-on voltage of 2.0 V,luminance of 24,000 cd·m^(−2).This strategy would be a constructive approach to reduce hole loss for p-n junction optoelectronics.

关键词： InP quantum dot light-emitting diode hole-transport layer high efficiency

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