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Impact of parasitic resistance on the ESD robustness of high-voltage devices

Journal of Semiconductors 2012年第1期33卷 59-63页

作者： Lin Lijuan Jiang Lingli Fan Hang Zhang Bo State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated devices University of Electronic Science and Technology Chengdu 610054China

The impacts ofsubstrate parasitic resistance and drain ballast resistance on electrostatic discharge （ESD） robustness of LDMOS are analyzed. By increasing the two parasitic resistances, the ESD robustness of LDMOS are significantly improved. The proposed structures have been successfully verified in a 0.35μm BCD process without using additional process steps. Experimental results show that the second breakdown current of the optimal structure increases to 3,5 A, which is about 367% of the original device.

关键词： electrostatic discharge high-voltage device LDMOS parasitic resistance

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