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Nanowires mediated growth ofβ-Ga_(2)O_(3)nanobelts for hightemperature(>573 K)solar-blind photodetectors

Nano Research 2023年第4期16卷 5548-5554页

作者： Xiaobin Zou Dongyu Xie Yong Sun Chengxin Wang State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies School of Materials Science and EngineeringSun Yat-sen UniversityGuangzhou 510275China State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies and Guangdong Province Key Laboratory of Display Material and Technology School of Electronics and Information TechnologySun Yat-sen UniversityGuangzhou 510275China

β-Ga_(2)O_(3),with ultra-wide bandgap,high absorption coefficient for high-energy ultraviolet(UV)photons,and high structural stability toward harsh-environment,has been receiving persistent attention for deep ultraviolet photodetectors ***,realization of devices with high tolerance toward high temperature faces great challenges due to considerable background signals mainly arising from abundant thermal excited ***,nanowire-mediated high-qualityβ-Ga_(2)O_(3)nanobelts with ultra-thin thickness and length up to several hundred micrometers were achieved via a simple catalyst-free chemical vapor deposition *** resulted microdevice output superior optoelectric figure of merits among numerous reports aboutβ-Ga_(2)O_(3),i.e.,ultra-low dark current(below the detection limit of 10−12 A),high responsivity(1,320 A/W),and high spectral selectivity working under low voltage(~2 V).More importantly,the performance remains robust at elevated temperature higher than 573 *** results indicate a large prospect for low-voltage driven deep ultraviolet photodetectors with good sensitivity and stability at harsh environments.

关键词： β-Ga_(2)O_(3) low-dimensional nanostructures chemical vapor deposition high temperature photodetectors solar-blind photodetectors

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