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A 6-bit 4 GS/s pseudo-thermometer segmented CMOS dac

Journal of Semiconductors 2014年第6期35卷 123-127页

作者：宋毅珺李文渊 Institute of RF-& OE-ICs Southeast University

A 6-bit 4 GS/s, high-speed and power-efficient dac for ultra-high-speed transceivers in 60 GHz band millimeter wave technology is presented. A novel pseudo-thermometer architecture is proposed to realize a good compromise between the fast conversion speed and the chip area. Symmetrical and compact floor planning and layout techniques including tree-like routing, cross-quading and common-centroid method are adopted to guarantee the chip is fully functional up to near-Nyquist frequency in a standard 0.18 #m CMOS process. Post simulation results corroborate the feasibility of the designed dac, which can perform good static and dynamic linearity without calibration. DNL errors and INL errors can be controlled within 4-0.28 LSB and 4-0.26 LSB, respectively. SFDR at 4 GHz clock frequency for a 1.9 GHz near-Nyquist sinusoidal output signal is 40.83 dB and the power dissipation is less than 37 roW.

关键词： high speed dac CMOS current-steering near-Nyquist sampling

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