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Nanoelectronic devices resonant tunnelling diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy with peak to valley current ratio of 17 at room temperature
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Chinese Physics B 2006年 第6期15卷 1335-1338页
作者： 张杨 曾一平 马龙 王宝强 朱占平 王良臣 杨富华 Materials Science Centre Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China
This paper reports that InAs/In0.53Ga0.47As/AlAs resonant tunnelling diodes have been grown on InP substrates by molecular beam epitaxy. Peak to valley current ratio of these devices is 17 at 300K. A peak current dens... 详细信息
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