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Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AlGaN/GaN heterostructure field effect transistors grown on Si substrate

引用

Chinese Physics B 2015年第5期24卷 529-534页

作者：倪毅强贺致远姚尧杨帆周德秋周桂林沈震钟健郑越张佰君刘扬 School of Physics and Engineering State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and TechnologiesSun Yat-Sen University

We report a novel structure of A1GaN/GaN heterostructure field effect transistors （HFETs） with a Si and Mg pair- doped interlayer grown on Si substrate. By optimizing the doping concentrations of the pair-doped interlayers, the mobility of 2DEG increases by twice for the conventional structure under 5 K due to the improved crystalline quality of the conduction channel. The proposed HFET shows a four orders lower off-state leakage current, resulting in a much higher on/off ratio （ - 10^9）. Further temperature-dependent performance of Schottky diodes revealed that the inhibition of shallow surface traps in proposed HFETs should be the main reason for the suppression of leakage current.

关键词： heterostructure field effect transistor (HFET) GaN on Si interlayers high on/off ratio

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