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Efficiency improvement of Sb2Se3 solar cells via grain boundary inversion

Efficiency improvement of Sb2Se3 solar cells via grain bound...

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第六届新型太阳能电池材料科学与技术学术研讨会

作者： Chao Chen Kanghua Li Jiang Tang Huazhong University of Science and Technology Wuhan National Laboratory for Optoelectronics

Exploring low-toxic and low-cost absorber materials for high-efficient solar cells has received wide attention in photovoltaic field. SbSe is a promising photovoltaic material with earth-abundant, low-toxic and low-cost constituents. Recent researches revealed that recombination losses in the absorber layer limited the efficiency of SbSe solar cells. In this abstract, we demonstrated a strategy of grain boundary(GB) inversion to alleviate such recombination loss. Owning to its 1D crystal structure, we successfully inverted the GBs of SbSe films by introducing n-type Cu interstitial doping at GBs via a low-temperature CuCl treatment. A built-in electric field is established between p-type grain interiors(GIs) and n-type GBs, which spatially separates photo-generated electrons and holes, suppresses recombination loss and enhances carrier collection efficiency. In the end, we obtained an efficiency of 7.04%, which is the highest efficiency of SbSe solar cells based on rapid thermal evaporation technology.

关键词： Sb2Se3 solar cell grain boundary inversion n-type doping

来源： cnki会议评论

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