检索结果-南通市图书馆

A novel method for generating a rectangular convex corner compensation structure in an anisotropic etching process

Journal of Semiconductors 2009年第7期30卷 33-38页

作者：张涵李伟华 Key Laboratory of MEMS of the Ministry of Education Southeast University

Detailed characteristics of three classical rectangular convex corner compensation structures on（100） silicon substrates have been investigated, and their common design steps are *** combining the basic method of a silicon wet anisotropic etching process, a general method of generating compensation structures for a rectangular convex corner is put *** calls for the following two steps：define the topological field and fit some borderlines together into practical compensation *** rules, which must be obeyed during this process, are *** introducing this method, some novel compensation patterns for rectangular convex corner structures are created on both（100） and（110） substrates, and finally simulation results are given to prove this new method＇s validity and applicability.

关键词： rectangular convex corner compensation anisotropic etching general methodology

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：