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Photo-sensitive characteristics of negative resistance turn-around occurring in SIPTH

Journal of Semiconductors 2009年第4期30卷 43-46页

作者：季涛杨利成李海蓉何山虎李思渊 School of Fundamental Studies Shanghai University of Engineering Science Institute of Microelectronics School of Physical Science and Technology Lanzhou University

Influences of light irradiation on the negative resistance turn-around characteristics of static induction photosensitive thyristor （SIPTH） have been experimentally and theoretically studied. As the gate current of SIPTH is increased by the light irradiation, the potential barrier in the channel is reduced due to the increase in voltage drop across the gate series resistance. Therefore, SIPTH can be quickly switched from the blocking state to the conducting state by relatively low anode voltage. The optimal matching relation for controlling anode conducting voltage of SIPTH by light irradiation has also been represented.

关键词： static induction photosensitive thyristors gate series resistance double injection effect potential barrier light-generated carriers

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