检索结果-南通市图书馆

Study of Reducing Non-Ideal Effects Based on TiN Sensitive Electrode with front-end offset circuit

稀有金属材料与工程 2006年第A3期35卷 248-249页

作者： Jung-Chuan Chou Cheng-Hsin Liu Graduate School of Electronic Engineering National Yunlin University of Science and TechnologyDouliouTaiwan 640China

The structure of the extended gate ion sensitive field effect transistor (EGISFET) is similar to the structure of the ion sensitive field effect transistor (ISFET).Moreover,the non-ideal effect of EGISFET is the main impediment to development of commercial processes for sensitive *** is necessary to promote the stability and reliability of the devices by employing calibration circuits and the better fabrication *** temporal drift exists in the entire measurement experiment. Furthermore,in this study we can reduce the temporal drift effect which influences the stability of the TiN sensitive electrode with the differential front-end offset *** measurement system combines with shifting circuit,differential and instrument *** employ the calibration circuit to compare with the variations of the output voltage,and expectably improve the stability and reliability of the TiN sensitive electrode by the novel calibration circuit.

关键词： TiN sensitive electrode stability reliability temporal drift effect front-end offset circuit

来源：

维普期刊数据库

同方期刊数据库评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

欢迎您,

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：

通借通还

欢迎您,

建议与咨询 留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

时间限定

文献类型

馆藏选择

核心期刊

语言

文献类型

帮助

文字说明：

检索规则说明：

检索范例：

分类表

所选分类

限定检索结果

文献类型

馆藏范围

日期分布

学科分类号

主题

机构

作者

语言

在线全文

请选择保存的检索档案： 新增检索档案 确定 取消

请选择收藏分类： 新增自定义分类 确定 取消

通借通还

建议与咨询留下您的常用邮箱和电话号码，以便我们向您反馈解决方案和替代方法

请选择保存的检索档案：

请选择收藏分类：