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检索条件"主题词=fluorine implant ion"
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Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor
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Chinese Physics B 2017年 第1期26卷 433-437页
作者: Ling Yang Xiao-Wei Zhou Xiao-Hua Ma Ling Lv Yan-Rong Cao Jin-Cheng Zhang Yue Hao State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology Xidian University Xi'an 710071 China School of Advanced Materials and Nanotechnology Xidian University Xi'an 710071 China School of Microelectronics Xidian University Xi'an 710071 China School of Mechano-Electronic Engineering Xidian University Xi'an 710071 China
The new electrical degradation phenomenon of the AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) treated by low power fluorine plasma is discovered. The saturated current, on-resistance, threshold voltage, gate le... 详细信息
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