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Enhancement of holding voltage by a modified low-voltage trigger silicon-controlled rectifier structure for electrostatic discharge protection

引用

Chinese Physics B 2023年第2期32卷 514-518页

作者：陈远康周远良蒋杰饶庭柯廖武刚刘俊杰 College of Electronics and Information Engineering Shenzhen UniversityShenzhen 518060China

A novel structure of low-voltage trigger silicon-controlled rectifiers(LVTSCRs) with low trigger voltage and high holding voltage is proposed for electrostatic discharge(ESD) protection. The proposed ESD protection device possesses an ESD implant and a floating structure. This improvement enhances the current discharge capability of the gate-grounded nMOS and weakens the current gain of the silicon-controlled rectifier current path. According to the simulation results, the proposed device retains a low trigger voltage characteristic of LVTSCRs and simultaneously increases the holding voltage to 5.53 V, providing an effective way to meet the ESD protection requirement of the 5 V CMOS process.

关键词： electrostatic discharge floating n-well low-voltage trigger silicon-controlled rectifier

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