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Temperature-insensitive reading of a flash memory cell

Journal of Semiconductors 2023年第4期44卷 103-107页

作者： Weiyan Zhang Tao Yu Zhifeng Zhu Binghan Li School of Information Science and Technology ShanghaiTech UniversityShanghai 201210China Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation Shanghai 200125China

The temperature characteristics of the read current of the NOR embedded flash memory with a 1.5T-per-cell structure are theoretically analyzed and experimentally *** verify that for a cell programmed with a“10”state,the read current is either increasing,decreasing,or invariable with the temperature,essentially depending on the reading overdrive voltage of the selected bitcell,or its programming *** precisely controlling the programming strength and thus manipulating its temperature coefficient,we propose a new setting method for the reference cells that programs each of reference cells to a charge state with a temperature coefficient closely tracking tail data cells,thereby solving the current coefficient mismatch and improving the read window.

关键词： flash memory temperature coefficient reference cell flash array

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