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Achieving a high energy storage density in Ag(Nb,Ta)O_(3) antiferroelectric films via nanograin engineering

Journal of Advanced Ceramics 2023年第1期12卷 196-206页

作者： Hongbo CHENG Xiao ZHAI Jun OUYANG Limei ZHENG Nengneng LUO Jinpeng LIU Hanfei ZHU Yingying WANG Lanxia HAO Kun WANG Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry School of Chemistry and Chemical EngineeringQilu University of Technology(Shandong Academy of Sciences)Jinan 250353China College of Electronic and Optical Engineering Nanjing University of Posts and TelecommunicationsNanjing 210023China School of Physics Shandong UniversityJinan 250100China Guangxi Key Laboratory of Processing for Non-ferrous Metallic and Featured Materials School of ResourcesEnvironment and MaterialsCenter on Nanoenergy ResearchSchool of Physical Science and TechnologyGuangxi UniversityNanning 530004China Key Laboratory for Liquid-Solid Structure Evolution and Processing of Materials(Ministry of Education) School of Materials Science and EngineeringShandong UniversityJinan 250061China Jinan Cigarette Factory China Tobacco Shandong Industrial Co.Ltd.Jinan 250104China

Due to its lead-free composition and a unique double polarization hysteresis loop with a large maximum polarization(Pmax)and a small remnant polarization(Pr),AgNbO_(3)-based antiferroelectrics(AFEs)have attracted extensive research interest for electric energy storage ***,a low dielectric breakdown field(Eb)limits an energy density and its further *** this work,a highly efficient method was proposed to fabricate high-energy-density Ag(Nb,Ta)O_(3) capacitor films on Si substrates,using a two-step process combining radio frequency(RF)-magnetron sputtering at 450℃and post-deposition rapid thermal annealing(RTA).The RTA process at 700℃led to sufficient crystallization of nanograins in the film,hindering their lateral growth by employing short annealing time of 5 *** obtained Ag(Nb,Ta)O_(3) films showed an average grain size(D)of~14 nm(obtained by Debye-Scherrer formula)and a slender room temperature(RT)polarization-electric field(P-E)loop(Pr≈3.8 mC·cm^(−2) and P_(max)≈38 mC·cm^(−2) under an electric field of~3.3 MV·cm^(−1)),the P-E loop corresponding to a high recoverable energy density(W_(rec))of~46.4 J·cm^(−3) and an energy efficiency(η)of~80.3%.Additionally,by analyzing temperature-dependent dielectric property of the film,a significant downshift of the diffused phase transition temperature(T_(M2-M3))was revealed,which indicated the existence of a stable relaxor-like AFE phase near the *** downshift of the T_(M2-M3) could be attributed to a nanograin size and residual tensile strain of the film,and it led to excellent temperature stability(20-240℃)of the energy storage performance of the *** results indicate that the Ag(Nb,Ta)O_(3) film is a promising candidate for electrical energy storage applications.

关键词： antiferroelectrics(AFE) AgNbO_(3) Ag(Nb Ta)O_(3) energy storage film capacitors nanograin engineering

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印度提供聚酯膜电容器

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中国科技成果 2000年第1期1卷 58-页

　　印度某公司提供聚酯膜电容器( POLESTER film capacitors),适于电子元件及电器,规格为电容量0.001～0.0082MF,额定电压630V,工作温度-40～85℃,DELHI离岸价每个0.01～1美元,最少定货3000个,价格及其它贸易条款面谈.详情请询:　　联... 详细信息

　　印度某公司提供聚酯膜电容器( POLESTER film capacitors),适于电子元件及电器,规格为电容量0.001～0.0082MF,额定电压630V,工作温度-40～85℃,DELHI离岸价每个0.01～1美元,最少定货3000个,价格及其它贸易条款面谈.详情请询:　　联系人:MR. JAI KUMAR　　公司名称:DEKI ELECTRONICS LTD.　　地址:　　131- 132 SOMDUTT CHAMBERS 1,5 BHIKAIJI CAMA PLACE, NEWDELHT, DELHI, 110066, INDIA　　电话:(009111)6186261,6161246　　传真:(009111)6182867。

关键词：印度 film capacitors 聚酯膜电容器贸易条款公司名称工作温度额定电压电子元件离岸价电容量美元价格规格定货电器电话传真

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