咨询与建议
  • 全部检索
  • 电子图书
  • 电子期刊
  • 纸本馆藏
  • 南通市公共图书馆
高级检索

限定检索结果

文献类型

  • 1 篇 会议

馆藏范围

  • 1 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 1 篇 工学
    • 1 篇 材料科学与工程（可...
    • 1 篇 电子科学与技术（可...

主题

  • 1 篇 sic
  • 1 篇 jfet
  • 1 篇 oil-resistance
  • 1 篇 figure-of-mcrit

机构

  • 1 篇 siclab ece depar...
  • 1 篇 u.s. army tacom ...
  • 1 篇 united silicon c...

作者

  • 1 篇 m.weiner
  • 1 篇 l.fursin
  • 1 篇 k.tone
  • 1 篇 t.burke
  • 1 篇 p.alexandrov

语言

  • 1 篇 英文
检索条件"主题词=figure-of-mcrit"
共 1 条 记 录，以下是1-10 订阅
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到"检索档案"
详细 简洁
排序：
A High Performance 4H-SiC Normally-off VJFET
A High Performance 4H-SiC Normally-off VJFET
收藏
分享
引用
第4届国际电力电子及运动控制国际会议
作者： K.Tone P.Alexandrov L.Fursin M.Weiner T.Burke SiCLAB ECE DepartmentRutgers University 94 Brett RoadPiscataway NJ 08854 USA United Silicon Carbide Inc. New Brunswick Technology Center100 Jersey Ave. Building A New Brunswick NJ 08902USA United Silicon Carbide Inc. New Brunswick Technology Center100 Jersey Ave. Building A New Brunswick NJ 08902USA United Silicon Carbide Inc. New Brunswick Technology Center100 Jersey Ave. Building A New Brunswick NJ 08902USA U.S. Army TACOM AMSTA-TR-R MS-121 Warren MI 48397USA
＜正＞ This paper presents the design, fabrication and characterisation of a high performance 4H-SiC normally-off, trenched and implanted vertical junction field-effect transistor （VJFET）- Devices with different tre... 详细信息
来源： cnki会议 评论
全选 清除本页 清除全部 题录导出 标记到“检索档案”
共1页 <<  < 1 >  >>
回到顶部
执行限定条件