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Impact of Al_(x)Ga_(1-x)N barrier thickness and Al composition on electrical properties of ferroelectric HfZrO/Al_(2)O_(3)/AlGaN/GaN MFSHEMTs
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Chinese Physics B 2022年 第9期31卷 502-510页
作者： Yue Li Xingpeng Liu Tangyou Sun Fabi Zhang Tao Fu Peihua Wang-yang Haiou Li Yonghe Chen Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application Guilin University of Electronic Technology(GUET)Guilin 541004China
ferroelectric(FE)HfZrO/Al_(2)O_(3) gate stack AlGaN/GaN metal-FE-semiconductor heterostructure high-electron mo-bility transistors(MFSHEMTs)with varying Al_(x)Ga_(1-x)N barrier thickness and Al composition are investi... 详细信息
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