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Ultra-thin Body Buried In0.35Ga0.65As Channel MOSFETs with extremely low off-current on Si Substrates
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Chinese Journal of Electronics 2021年 第6期30卷 1017-1021页
作者： WANG Bo DING Peng FENG Ruize WANG Yanfu LIU Xiaoyu SUN Tangyou CHEN Yonghe LIU Xingpeng LI Qi LI Yue LIU Yingbo YIN Yihui ZHAO Hao ZHANG Wei LI Haiou JIN Zhi Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application Guilin University of Electronic Technology High-Frequency High-Voltage Device and Integrated Circuits Center Institute of MicroelectronicsChinese Academy of Sciences The 34th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation State Key Laboratory of ASIC & System Fudan University
In this paper, we investigated the electrical properties of the Metal-oxide-semiconductor gate stack of Ti/AlO/In P under different annealing conditions. A minimum interface trap density of 3×10cmeVis obtained withou... 详细信息
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